კომპანიები 12-ინჩიანი ფოტომასკებისკენ მოუწოდებენ 2033 წლისთვის.
წყარო: The Register. ქართული თარგმანი — შიკრიკი.
ASML and TSMC want bigger masks for smaller chips

ტექსტი ავტომატურად ითარგმნა. წყარო: The Register.
ინდუსტრიის ინიციატივა მიზნად ისახავს შეკერის შეზღუდვების აღმოფხვრას და high-NA EUV სისტემების წარმოებისთვის მომზადებას 2033 წლისთვის.
ASML-მა და ჩიპების მწარმოებელმა გიგანტმა TSMC-მა დაიწყეს ინდუსტრიის მასშტაბით ბიძგი 12-ინჩიანი ფოტომასკებისკენ. ისინი ამბობენ, რომ უფრო დიდი ფორმატი შეამცირებს ხარჯებს და გადალახავს high-NA EUV ლითოგრაფიის ზოგიერთ შეზღუდვას.
ჰოლანდიური კომპანია ASML, რომელიც ერთადერთი კომერციული მომწოდებელია EUV ლითოგრაფიული სისტემების, ამბობს, რომ TSMC-თან ერთად დაამყარეს თანამშრომლობა, რომელიც მიზნად ისახავს უფრო დიდი ფორმატის ფოტომასკებზე გადასვლას ექსტრემალური ულტრაიისფერი (EUV) ლითოგრაფიისთვის.
Intel Foundry-მ და Samsung Electronics-მაც გამოთქვეს მხარდაჭერა.
ინიციატივა მიზნად ისახავს 12-ინჩიანი მასკის საპილოტე ხაზის შექმნას 2031 წლისთვის და დამხმარე ლითოგრაფიული სისტემების მზადყოფნას მოწინავე კვანძების წარმოებისთვის 2033 წლისთვის.
ASML-ის თანახმად, high-NA EUV თავდაპირველად შევა წარმოებაში არსებული 6-ინჩიანი მასკებით, მაგრამ 12-ინჩიან მასკებზე გადასვლა გაზრდის ქარხნის პროდუქტიულობას, შეამცირებს ხარჯებს და მოხსნის შეკერის შეზღუდვებს.
უფრო დიდი მასკებისკენ ბიძგი მომდინარეობს ანამორფული ოპტიკური დიზაინიდან, რომელიც ASML-მა აირჩია თავისი პირველი თაობის high-NA EUV მანქანებისთვის, რათა ჩიპების მწარმოებლებს შეეძლოთ არსებული 6-ინჩიანი მასკების გამოყენება.
„NA“ high-NA EUV-ში ნიშნავს რიცხვით აპერტურას, ოპტიკური სისტემის უნარს შეაგროვოს და ფოკუსირება მოახდინოს სინათლეზე. უფრო მაღალი NA-ს მისაღწევად საჭირო იყო უფრო დიდი ოპტიკა, რამაც გაზარდა კუთხე, რომლითაც სინათლე ხვდება რეტიკულს ან მასკს, რაც ქმნის ჩრდილის და კონტრასტის პრობლემებს.
ASML ამბობს, რომ შეეძლო გამოეყენებინა ოპტიკა, რომელიც შეამცირებდა მასკის ნიმუშს 8-ჯერ ორივე მიმართულებით, ვიდრე არსებულ სისტემებში გამოყენებული 4-ჯერ, მაგრამ ეს მოითხოვდა უფრო დიდ მასკებს. ამის ნაცვლად მან აირჩია ანამორფული ოპტიკა, რომელიც ამცირებს გამოსახულებას 4-ჯერ ერთ ღერძზე და 8-ჯერ მეორეზე, რაც ჩიპების მწარმოებლებს საშუალებას აძლევს გააგრძელონ 6-ინჩიანი მასკების გამოყენება.
კომპრომისი არის ექსპოზიციის ველი, რომელიც ნახევარია წინა მანქანებთან შედარებით. დიდი კრისტალები, რომლებიც აღემატება ამ ველს, შეიძლება საჭიროებდეს ორ ცალკე ექსპოზიციას, რომლებიც შეიკერება, რაც ზრდის სირთულეს და ამცირებს პროდუქტიულობას.
ASML და TSMC ახლა უფრო დიდ მასკებს ხედავენ როგორც საშუალებას აღადგინონ სრული ექსპოზიციის ველი, რადგან ინდუსტრია მიიწევს უფრო მკვრივი ჩიპებისა და უფრო პატარა პროცესის კვანძებისკენ.

Max-severity GitLab bug allows remote code execution over 12 years of releases
„ჩვენ ველით, რომ High NA EUV-ის მიღება პროგრესულად გაიზრდება მოწყობილობების მასშტაბირების გზაზე, თავდაპირველად გამოიყენებს არსებულ 6-ინჩიან მასკებს და შემდეგ დამატებით მხარდაჭერილი იქნება 12-ინჩიანი მასკებით, რომლებიც უზრუნველყოფენ სკანერის უფრო დიდ პროდუქტიულობას და საშუალებას მისცემენ ინდუსტრიას დააკმაყოფილოს მოთხოვნა უფრო პატარა, უფრო სწრაფ და ენერგოეფექტურ ჩიპებზე“, განაცხადა ASML-ის პრეზიდენტმა და აღმასრულებელმა დირექტორმა კრისტოფ ფუკემ.
TSMC-მა ჯერ არ გამოიყენა high-NA EUV, მათ შორის 2 ნმ პროცესისთვის, მაგრამ ამბობს, რომ აპირებს ტექნოლოგიის განთავსებას მაღალი მოცულობის წარმოებაში მოწინავე კვანძებისთვის 2030 წლიდან. ის ელის, რომ high-NA EUV-ის მოთხოვნის მქონე ფენების რაოდენობა გაიზრდება ახალი პროცესის კვანძების შემოღებისას, რასაც განაპირობებს AI აპლიკაციებისთვის საჭირო უფრო რთული ტრანზისტორის არქიტექტურები.
Intel Foundry-მ გამოთქვა მხარდაჭერა ინიციატივისთვის. EVP ნაგა ჩანდრასეკარანმა თქვა: „ჩვენი ლითოგრაფიული შესაძლებლობების ფარგლებში Intel Foundry ფოკუსირებულია high-NA-ს ახლო ვადაში ჩართვაზე 6-ინჩიან მასკებზე შეკერით ან მის გარეშე და გადასვლაზე 6x12-ინჩიან მასკებზე. ჩვენ გავაგრძელებთ მჭიდრო თანამშრომლობას ASML-თან და მთელ ინდუსტრიასთან ამ გადასვლის უზრუნველსაყოფად.“
Samsung-იც უჭერს მხარს ინიციატივას და ამბობს, რომ აპირებს გახდეს პირველი ჩიპების მწარმოებელი, რომელიც ASML-ის high-NA EUV ტექნოლოგიას შემოიტანს მაღალი მოცულობის DRAM წარმოებაში 2028 წლისთვის.
„AI ეპოქა გარდაქმნის ნახევარგამტარების ინდუსტრიას და ზრდის ტექნოლოგიური ინოვაციის მნიშვნელობას მთელ ღირებულების ჯაჭვში“, განაცხადა Samsung Electronics-ის ვიცე-თავმჯდომარემ და აღმასრულებელმა დირექტორმა იუნგ ჰიუნ ჯუნმა.
„ჩვენი თანამშრომლობის გაძლიერებით ASML-თან ჩვენ ვეხმარებით საფუძვლის ჩაყრას AI-ისა და ნახევარგამტარების ინოვაციის შემდეგი თაობისთვის.“
IDC-ის უფროსმა კვლევის დირექტორმა ენდრიუ ბასმა The Register-ს უთხრა, რომ high-NA EUV ქმნის დიზაინისა და წარმოების გამოწვევებს მომავალი პროდუქტებისთვის. მან თქვა, რომ მიუხედავად იმისა, რომ რეტიკულის შეკერა და ჩიპლეტის დიზაინები ამსუბუქებს ამ გამოწვევებს, 6 x 12-ინჩიან ფოტომასკებზე გადასვლა აუცილებელი ნაბიჯია, რომელიც შედარებადია ინდუსტრიის გადასვლასთან 200 მმ-დან 300 მმ ვაფლებზე.
ბასმა თქვა, რომ გადასვლა მოითხოვს ხელსაწყოების მწარმოებლებს, ჩიპების მწარმოებლებს, მასკების მომწოდებლებს და დიზაინერებს, რომ დააკავშირონ თავიანთი ტექნოლოგიები და პროცესები, რაც ფართო ინდუსტრიულ მონაწილეობას აუცილებელს ხდის.
შეადარე თარგმანი გამოცემის ორიგინალურ ტექსტს.
გამოქვეყნდა 8 სექტემბერი, 2026

PHP2Shell exploit bypasses protections designed to stop remote code execution

Human receives AI-designed virus for the first time

The ‘Exotic Physics’ Behind a Mysterious 1,000-Mile Cloud on Mars

Meta delays new business terms after publisher pushback on AI scraping

KI-Update Deep-Dive: Warum ControlAI ein Verbot von Superintelligenz fordert
კომენტარი (0)
გაგვიზიარე შენი აზრი.
კომენტარები ავტომატურად მოწმდება.
აზრის გასაზიარებლად შექმენი ანგარიში ან შედი.
ან
კომენტარები ჯერ არ არის. დაწერე პირველი.