Globalfoundries გერმანულ ჩიპებს 7-ნანომეტრიან კლასს უტოლებს

GF წარმოების ახალ ტექნოლოგიას, FDX Fusion-საც ავითარებს. ეს ტექნოლოგიაც სრულად გაღარიბებულ იზოლატორზე სილიციუმის, FD-SOI-ს, ფირფიტებს იყენებს. FDX Fusion-ზე დაფუძნებულმა CMOS ლოგიკამ TSMC-ის N7-ის, Intel-ის Intel 7-ისა და Samsung-ის 7-ნანომეტრიანი კლასის წარმოების პროცესების მსგავსი წარმადობა უნდა უზრუნველყოს.

თუმცა FDX Fusion-ის მთავარი უპირატესობა მხოლოდ CMOS ლოგიკურ ჩიპებში ნაკლებადაა. ის უფრო მეტად იმ კომპონენტებს შეეფერება, რომლებიც სხვა ფუნქციურ ბლოკებსაც შეიცავს. მათ შორისაა მაღალსიხშირული სიგნალებისა და ანალოგური სიგნალების დამუშავების ბლოკები. GF-ს ასევე შეუძლია ენერგოდამოუკიდებელი მეხსიერების უჯრედების, მაგალითად, რეზისტიული ოპერატიული მეხსიერების, RRAM-ის, ჩაშენება. კომპანია გამოყენების მაგალითებად სარადარო სისტემებს, ავტომობილების სენსორებსა და WLAN-ისა და Bluetooth-ის მსგავსი უსადენო კავშირების მქონე მიკროკონტროლერებს ასახელებს. ჩამონათვალში ასევეა ეკრანის დრაივერები და 5G ჩიპები. ამგვარ მრავალფეროვან კომპონენტებს ევროპული კომპანიებიც, მათ შორის Infineon-ი, NXP და Bosch-ი, აწარმოებენ.

GF-ის პრესრელიზში სამი აღნიშნული ევროპული ჩიპების მწარმოებლის ციტირება, სავარაუდოდ, შემთხვევითი არაა. ისინი ამავე დროს მსოფლიოს უდიდესი საკონტრაქტო მწარმოებლის, TSMC-ის, პარტნიორები არიან დრეზდენის ESMC-ის ქარხანაში, რომელიც 2024 წლიდან შენდება.

GF ახალ FDX Fusion ტექნოლოგიაზე მუშაობას მხოლოდ ევროპული პროექტის, IPCEI Advanced Semiconductor Technology-ის (IPCEI AST), ფარგლებში დაფინანსების დამტკიცების შემდეგ დაიწყებს. ევროკავშირს ამით ჩიპების ტექნოლოგიაში დამოუკიდებლობის გაძლიერება სურს. GF-ის ცნობით, FDX Fusion კარგად შეეფერება ჩიპებს, რომლებიც ხელოვნური ინტელექტის მქონე რობოტებსა და სხვა ავტონომიურ სისტემებს მართავს. სწორედ ამიტომ გამოიყენება ტერმინი „ფიზიკური ხელოვნური ინტელექტი“.

ამჟამად GF დრეზდენში ყველაზე წვრილი სტრუქტურების მქონე საწარმოო ტექნოლოგიად 22FDX+-ს იყენებს. კომპანიამ გაუმჯობესებული 12FDX ვერსია ჯერ კიდევ 2016 წელს, 2019 წლისთვის დააანონსა, თუმცა მისი დანერგვა არაერთხელ გადადო. სავარაუდოდ, მის საფუძველზე ახლა FDX Fusion შეიქმნა. GF-მა ფარფლისებრი ველის ეფექტის ტრანზისტორებზე, FinFET-ზე, დაფუძნებული საკუთარი 7-ნანომეტრიანი პროცესის შემუშავება 2018 წელს შეაჩერა. მიზეზად კომპანიამ სუსტი ეკონომიკური პერსპექტივა დაასახელა.