ჩინეთმა EUV-ის გარეშე მოქმედი 3-ნანომეტრიანი GAA ტრანზისტორები შექმნა
DUV-ზე დაფუძნებული მეთოდი ჯერ სრულფასოვანი საწარმოო პროცესისგან შორსაა
Toms Hardwareორიგინალი Toms Hardware-ზე
ორიგინალი და წყარო
ორიგინალი გამოქვეყნდა
ქართული თარგმანიინგლისური ენიდან ქართულად
წყარო: Toms Hardware. ქართული თარგმანი: შიკრიკი.
ორიგინალის სათაური
China crafts working 3nm gate-all-around transistors without EUV — stacked nanosheets target 3nm without EUV, but full node remains distant
ტექნოლოგია3 წუთის საკითხავი
ტექსტი ავტომატურად ითარგმნა. წყარო: Toms Hardware.
ჩინეთის მეცნიერებათა აკადემიის მიკროელექტრონიკის ინსტიტუტმა (IMECAS) ექსპერიმენტული ტექნოლოგიური პროცესი შეიმუშავა. მან იმერსიული DUV ლითოგრაფიით ერთმანეთზე განლაგებული ნანოფურცლების მქონე, ყველა მხრიდან ჩამკეტით გარშემორტყმული (GAA) მოქმედი ტრანზისტორები შექმნა. DigiTimes-ის ცნობით, მეთოდი სამომავლოდ 3-ნანომეტრიანი კლასისა და უფრო მცირე ტექნოლოგიებისთვისაა განკუთვნილი. მისი გამოყენება იმ ჩინელ ჩიპების მწარმოებლებს შეეძლებათ, რომლებსაც EUV სკანერებზე წვდომა არ აქვთ.
მართალია, IMECAS-მა მოქმედი GAA მოწყობილობები წარმოადგინა, მაგრამ კრიტიკული გეომეტრიული პარამეტრები არ გაამჟღავნა. ამ მონაცემებით შესაძლებელი იქნებოდა მათი სხვა მწარმოებლების 3-ნანომეტრიანი კლასის ტრანზისტორებთან შედარება. ამასთან, ტრანზისტორების შესაქმნელი ექსპერიმენტული მეთოდი კვლევითი ჩიპების წარმოებისთვის განსაზღვრულ სრულ პროცესსაც არ წარმოადგენს. მით უმეტეს, ის 3-ნანომეტრიანი კლასის სრულ საწარმოო პროცესად ვერ ჩაითვლება.
მიუხედავად ამისა, მიღწევა საკმაოდ მნიშვნელოვანია. ის აჩვენებს, რომ ჩინეთს ნახევარგამტარების განვითარების საკუთარი მიმართულების შექმნა დასავლური კომპანიების მოწინავე ხელსაწყოების გარეშე შეუძლია.
ჩინეთის ეროვნული მსხვილი სპეციალური პროექტი 02-ის მთავარმა ინჟინერმა იე ტიენჩუნმა პეკინში, კონფერენცია IC World-ზე განაცხადა, რომ IMECAS-მა DUV ლითოგრაფიით დამზადებული GAA ტრანზისტორების „ადრეული ტექნოლოგიური ინტეგრაცია“ დაასრულა. ამ ტრანზისტორებს ერთმანეთზე განლაგებული ნანოფურცლების არხები აქვს. IMECAS-ის მკვლევრებმა მოწყობილობებში Ion/Ioff-ის 9,7×10⁵ და 7,6×10⁵ თანაფარდობები მიიღეს. ორივე მაჩვენებელი 5×10⁵-იან ზღვარს აღემატება, რაც ნანოფურცლების ჩამკეტით მართვის გამართულობას ნიშნავს. ეს მონაცემები მიუთითებს, რომ ექსპერიმენტულ ტრანზისტორებს გამტარი და არაგამტარი მდგომარეობების გარჩევა შეუძლია. თუმცა, ისინი თითქმის არაფერს ამბობს ტრანზისტორების სიმჭიდროვეზე ან მათი ფიზიკური ზომების შესაბამისობაზე კომერციულ 3-ნანომეტრიან ტექნოლოგიებთან.
კერძოდ, IMECAS-ს ჩამკეტებსა და ლითონის ხაზებს შორის ბიჯი არ გაუსაჯაროებია. ინსტიტუტს არც ნანოფურცლების ზომები, ტრანზისტორებისა და SRAM-ის სიმჭიდროვე ან სხვა გეომეტრიული მახასიათებლები გამოუქვეყნებია. ეს მონაცემები მოწყობილობების Intel-ის, Samsung Foundry-ისა და TSMC-ის 3-ნანომეტრიანი კლასის საწარმოო პროცესებთან შედარების საშუალებას მისცემდა. შესაბამისად, მიღწევა DUV ლითოგრაფიაზე დაფუძნებული, ერთმანეთზე განლაგებული ნანოფურცლების მქონე GAA ტექნოლოგიური პროცესის დადასტურებად უნდა ჩაითვალოს. ის ვერ ადასტურებს, რომ ჩინეთმა EUV-ის გარეშე 3-ნანომეტრიანი პროცესი შეიმუშავა.
ექსპერიმენტის ყველაზე მნიშვნელოვანი ნაწილი IMECAS-ის კვლევაა, თუ როგორ შეიძლება EUV ლითოგრაფიის გარეშე დამზადდეს GAA მოწყობილობები. ისინი სამომავლო 3-ნანომეტრიანი კლასისა და უფრო მოწინავე ტექნოლოგიებისთვისაა განკუთვნილი. მასობრივ წარმოებაში ეს ჯერ არავის გაუკეთებია.
სხვა ამბები
Toms Hardware
ამავე გამოცემის სხვა ამბები.
OpenSSH-ისა და musl libc-ის ხარვეზები Alpine Linux-სა და სხვა დისტრიბუციებში შესვლის საშუალებას იძლევა
Toms Hardware
Combined OpenSSH and musl-libc flaws let anyone into Alpine Linux and other distros by typing anything over 256 characters as a password
კომენტარი (0)
გაგვიზიარე შენი აზრი.
კომენტარები ავტომატურად მოწმდება.
აზრის გასაზიარებლად შექმენი ანგარიში ან შედი.
კომენტარები ჯერ არ არის. დაწერე პირველი.