ჩინეთმა EUV-ის გარეშე მოქმედი 3-ნანომეტრიანი GAA ტრანზისტორები შექმნა

მართალია, IMECAS-მა მოქმედი GAA მოწყობილობები წარმოადგინა, მაგრამ კრიტიკული გეომეტრიული პარამეტრები არ გაამჟღავნა. ამ მონაცემებით შესაძლებელი იქნებოდა მათი სხვა მწარმოებლების 3-ნანომეტრიანი კლასის ტრანზისტორებთან შედარება. ამასთან, ტრანზისტორების შესაქმნელი ექსპერიმენტული მეთოდი კვლევითი ჩიპების წარმოებისთვის განსაზღვრულ სრულ პროცესსაც არ წარმოადგენს. მით უმეტეს, ის 3-ნანომეტრიანი კლასის სრულ საწარმოო პროცესად ვერ ჩაითვლება.

მიუხედავად ამისა, მიღწევა საკმაოდ მნიშვნელოვანია. ის აჩვენებს, რომ ჩინეთს ნახევარგამტარების განვითარების საკუთარი მიმართულების შექმნა დასავლური კომპანიების მოწინავე ხელსაწყოების გარეშე შეუძლია.

ჩინეთის ეროვნული მსხვილი სპეციალური პროექტი 02-ის მთავარმა ინჟინერმა იე ტიენჩუნმა პეკინში, კონფერენცია IC World-ზე განაცხადა, რომ IMECAS-მა DUV ლითოგრაფიით დამზადებული GAA ტრანზისტორების „ადრეული ტექნოლოგიური ინტეგრაცია“ დაასრულა. ამ ტრანზისტორებს ერთმანეთზე განლაგებული ნანოფურცლების არხები აქვს. IMECAS-ის მკვლევრებმა მოწყობილობებში Ion/Ioff-ის 9,7×10⁵ და 7,6×10⁵ თანაფარდობები მიიღეს. ორივე მაჩვენებელი 5×10⁵-იან ზღვარს აღემატება, რაც ნანოფურცლების ჩამკეტით მართვის გამართულობას ნიშნავს. ეს მონაცემები მიუთითებს, რომ ექსპერიმენტულ ტრანზისტორებს გამტარი და არაგამტარი მდგომარეობების გარჩევა შეუძლია. თუმცა, ისინი თითქმის არაფერს ამბობს ტრანზისტორების სიმჭიდროვეზე ან მათი ფიზიკური ზომების შესაბამისობაზე კომერციულ 3-ნანომეტრიან ტექნოლოგიებთან.

კერძოდ, IMECAS-ს ჩამკეტებსა და ლითონის ხაზებს შორის ბიჯი არ გაუსაჯაროებია. ინსტიტუტს არც ნანოფურცლების ზომები, ტრანზისტორებისა და SRAM-ის სიმჭიდროვე ან სხვა გეომეტრიული მახასიათებლები გამოუქვეყნებია. ეს მონაცემები მოწყობილობების Intel-ის, Samsung Foundry-ისა და TSMC-ის 3-ნანომეტრიანი კლასის საწარმოო პროცესებთან შედარების საშუალებას მისცემდა. შესაბამისად, მიღწევა DUV ლითოგრაფიაზე დაფუძნებული, ერთმანეთზე განლაგებული ნანოფურცლების მქონე GAA ტექნოლოგიური პროცესის დადასტურებად უნდა ჩაითვალოს. ის ვერ ადასტურებს, რომ ჩინეთმა EUV-ის გარეშე 3-ნანომეტრიანი პროცესი შეიმუშავა.

ექსპერიმენტის ყველაზე მნიშვნელოვანი ნაწილი IMECAS-ის კვლევაა, თუ როგორ შეიძლება EUV ლითოგრაფიის გარეშე დამზადდეს GAA მოწყობილობები. ისინი სამომავლო 3-ნანომეტრიანი კლასისა და უფრო მოწინავე ტექნოლოგიებისთვისაა განკუთვნილი. მასობრივ წარმოებაში ეს ჯერ არავის გაუკეთებია.

მოწინავე ტექნოლოგიურ პროცესებში GAA ტრანზისტორებმა FinFET მოწყობილობები ჩაანაცვლა. ზომების შემცირებისას ნანოფურცლების არხების გარშემო ჩამკეტის განთავსება უკეთეს ელექტროსტატიკურ მართვას უზრუნველყოფს. IMECAS ამ გადასვლისთვის საჭირო ტექნოლოგიებს 2020 წლიდან ავითარებს. ინსტიტუტი განსაკუთრებით 3 ნანომეტრზე მცირე პროცესებზე მუშაობდა, რის გამოც განცხადებაში 3-ნანომეტრიან კლასს ახსენებს.