ჩინური კვარცი ჩიპების აღჭურვილობისთვის დამტკიცდა, მაგრამ მონოპოლია სპრუს პაინისაა

პასიფიკ კვარცის მიღწევები მნიშვნელოვანია, თუმცა კომპანიის კომპონენტები გამოიყენება ნახევარგამტარების წარმოების აღჭურვილობაში სილიკონის ვაფლის დამზადების შემდეგ. იმავდროულად, ნახევარგამტარების ვაფლებისთვის საჭირო ინგოტებს ზრდიან კრებულებში, რომლებიც დამზადებულია მაღალი სისუფთავის შერწყმული კვარცისგან, ჩვეულებრივ 99,999 პროცენტზე მეტი SiO₂-ით, ინდივიდუალური კრიტიკული დამაბინძურებლების მკაცრი ლიმიტებით. ასეთი კვარცის მნიშვნელოვანი მოცულობები ამჟამად მხოლოდ Sibelco-სა და The Quartz Corp.-ს შეუძლიათ მიაწოდონ, რომლებიც მოქმედებენ სპრუს პაინში, ჩრდილოეთ კაროლინაში, და Russian Quartz LLC-ს, რომელსაც მოკრძალებული მოცულობების წარმოება შეუძლია.

პასიფიკ კვარცი Lam Research-სა და Tokyo Electron-ს ულტრა მაღალი სისუფთავის კვარცის სახარჯო მასალებს, როგორიცაა LPCVD დიფუზიის მილები, ვაფლის ნავები, კვარცის ინგოტები, კვარცის ფირფიტები და მაღალი სისუფთავის კვარცის მილები, 2019-2020 წლებიდან აწვდის. ჩვეულებრივ, პროცესის აღჭურვილობისთვის გამოყენებული კვარცი 4N5-5N სისუფთავისაა, დაახლოებით 99,995-99,999 პროცენტი SiO₂. ამიტომ პასიფიკ კვარცის პროდუქტები საკმარისად კარგია ნახევარგამტარების ხელსაწყოებისთვის.

ახლახან პასიფიკ კვარცმა განაცხადა, რომ მისი საკუთარი მაღალი სისუფთავის კვარცის ქვიშისგან დამზადებულმა კვარცის პროდუქტებმა წამყვანი ჩინური DRAM მწარმოებლის, როგორც ჩანს CXMT-ის, კვალიფიკაცია გაიარეს 300 მმ ვაფლის წარმოებისთვის გამოსაყენებლად. ეს განსაკუთრებით მნიშვნელოვანია, რადგან აჩვენებს ძირითადად შიდა მიწოდების ჯაჭვს ჩინური კვარცისთვის, რომელიც იწყება პასიფიკ კვარცის გაწმენდილი მაღალი სისუფთავის ქვიშით, შემდეგ მუშავდება ნახევარგამტარების ღუმელის მილის მასალად და მიდის DRAM ქარხანაში. CXMT რა თქმა უნდა იყენებს Lam Research-ისა და Tokyo Electron-ის აღჭურვილობას, მაგრამ ზუსტად ვერ ვიტყვით, რომ ამ ხელსაწყოებში გამოყენებული ყველა კვარცის სახარჯო მასალა პასიფიკ კვარცის მიერ არის დამზადებული.

ნახევარგამტარების ღუმელის მილები ჩვეულებრივ დაახლოებით 5N კლასის მაღალი სისუფთავის შერწყმული კვარცისგან მზადდება, ელექტრულად აქტიური და მობილური დამაბინძურებლების მკაცრი ლიმიტებით, რადგან მათ შეუძლიათ ცხელ სილიკონის ვაფლებზე ან შიგნით გადაადგილება და ტრანზისტორების მახასიათებლების შეცვლა, რაც საბოლოოდ დეფექტებს ქმნის და გამოსავლიანობას ამცირებს.

ჩინეთში დაფუძნებულ პასიფიკ კვარცს შეუძლია კომპონენტების წარმოება ნახევარგამტარების წარმოების აღჭურვილობისთვის, მაგრამ მას ჯერ კიდევ არ შეუძლია კრებულების წარმოება, რომლებიც საკმარისად კარგია 9N-11N სისუფთავის სილიკონის ვაფლების გასაზრდელად. შეიცვლება თუ არა ეს უახლოეს მომავალში, მხოლოდ დრო გვიჩვენებს.